casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RN55E1012DB14
codice articolo del costruttore | RN55E1012DB14 |
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Numero di parte futuro | FT-RN55E1012DB14 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E1012DB14 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.1 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E1012DB14 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN55E1012DB14-FT |
RN55D9570FRE6
Vishay Dale
RN55D95R0FB14
Vishay Dale
RN55D95R3FB14
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RN55D95R3FBSL
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RN55D95R3FR36
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RN55D95R3FRE6
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RN55D9642FRE6
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A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7N
Intel
5SGXEA3K2F35I2N
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel