casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBHV8115T,215
codice articolo del costruttore | PBHV8115T,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PBHV8115T,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBHV8115T,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 200mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBHV8115T,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBHV8115T,215-FT |
PBSS4041NT,215
Nexperia USA Inc.
BC846,215
Nexperia USA Inc.
BC847C,235
Nexperia USA Inc.
BCV47,235
Nexperia USA Inc.
PMBT3906,215
Nexperia USA Inc.
BC846A,215
Nexperia USA Inc.
BC817-40,235
Nexperia USA Inc.
2PD601ARL,215
Nexperia USA Inc.
BCV47,215
Nexperia USA Inc.
BC807-25,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel