casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V128M4TG-5B:F TR
codice articolo del costruttore | MT46V128M4TG-5B:F TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V128M4TG-5B:F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V128M4TG-5B:F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4TG-5B:F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V128M4TG-5B:F TR-FT |
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F4AN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2SNXE
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel