casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G16ABADAM60A3WC1
codice articolo del costruttore | MT29F4G16ABADAM60A3WC1 |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G16ABADAM60A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G16ABADAM60A3WC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABADAM60A3WC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G16ABADAM60A3WC1-FT |
MT29F32G08ABCABH1-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel