casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR
codice articolo del costruttore | MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 768Gb (96G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR-FT |
AT88SC0204CA-MJ
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