casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
codice articolo del costruttore | MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 137-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 137-TFBGA (10.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR-FT |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAKC-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel