casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB16H35HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB16H35HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB16H35HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB16H35HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H35HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB16H35HE3_A/P-FT |
BAT82S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT82S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT83S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT85S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel