casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W256GH7AZS6F TR
codice articolo del costruttore | M29W256GH7AZS6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W256GH7AZS6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W256GH7AZS6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (11x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W256GH7AZS6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W256GH7AZS6F TR-FT |
M29F400FB55M3T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM62
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M32
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel