Infineon Technologies IRF6602
- Numero parte MFG
- IRF6602
- quantità disponibile
- 19590 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- HEXFET® MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IRF6602.pdf
IRF6602 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IRF6602 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IRF6602 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRF6602 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MQ |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MQ |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF6602 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IRF6602-FT |
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