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Infineon Technologies IPP042N03LGXKSA1

Name: IPP042N03LGXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP042N03LGXKSA1
Price: 1.088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (261 reviews)

Numero parte MFG: IPP042N03LGXKSA1

quantità disponibile: 52070 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.088

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPP042N03LGXKSA1.pdf

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IPP042N03LGXKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPP042N03LGXKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPP042N03LGXKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPP042N03LGXKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	79W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP042N03LGXKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPP042N03LGXKSA1-FT

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