casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1GL MHG
codice articolo del costruttore | HS1GL MHG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1GL MHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1GL MHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1GL MHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1GL MHG-FT |
ES1CLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel