casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB3100MFZRE
codice articolo del costruttore | HB3100MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB3100MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB3100MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB3100MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB3100MFZRE-FT |
H878R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BDA
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H8909RBCA
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M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K1F40C1N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C6N
Intel
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EPF10K50SQC208-2
Intel