casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H412R1BYA
codice articolo del costruttore | H412R1BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H412R1BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H412R1BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412R1BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H412R1BYA-FT |
H410R2BCA
TE Connectivity Passive Product
H410R2BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R2BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R2BZA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H410R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BCA
TE Connectivity Passive Product
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
5SGXEABK3H40I3L
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5SGXEA5H3F35I3N
Intel
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H3F34I2SG
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel