casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQP46N15
codice articolo del costruttore | FQP46N15 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP46N15 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP46N15 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP46N15 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP46N15-FT |
FCP20N60_G
ON Semiconductor
FCP220N80
ON Semiconductor
FCP25N60N
ON Semiconductor
FCP260N60E
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FCP380N60E
ON Semiconductor
FCP400N80Z
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FCP7N60_F080
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FDP032N08B-F102
ON Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
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AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
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ICE40LP640-CM36
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LFXP2-8E-5FTN256C
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LCMXO256E-3M100I
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LCMXO1200E-3MN132I
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EP3SL110F780I4
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