casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1JL RHG
codice articolo del costruttore | ES1JL RHG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1JL RHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1JL RHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL RHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1JL RHG-FT |
ES1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel