casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIH03Q1N5SNC
codice articolo del costruttore | CIH03Q1N5SNC |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIH03Q1N5SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q1N5SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.5nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 440mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 10GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N5SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q1N5SNC-FT |
CIGT201210UH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR16MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation