casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T651S10BCI8
codice articolo del costruttore | 70T651S10BCI8 |
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Numero di parte futuro | FT-70T651S10BCI8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T651S10BCI8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T651S10BCI8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T651S10BCI8-FT |
70V3389S6BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S6BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S4BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S4BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel