casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23LCV512T-I/ST
codice articolo del costruttore | 23LCV512T-I/ST |
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Numero di parte futuro | FT-23LCV512T-I/ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23LCV512T-I/ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23LCV512T-I/ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23LCV512T-I/ST-FT |
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Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
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EP20K100EFC324-3
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EPF8636AQC160-3N
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